电子工程世界电子工程世界电子工程世界

产品描述

搜索
 

SI2343DS-T1-E3

器件型号:SI2343DS-T1-E3
器件类别:半导体    分立半导体   
厂商名称:Vishay
厂商官网:
下载文档 在线购买

SI2343DS-T1-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SI2343DS-T1-E3 ¥4.51 1 点击查看 点击购买

器件描述

MOSFET P-CH 30V 3。1A SOT23-3

场效应管 P-CH 30V 3.1A SOT23-3

SI2343DS-T1-E3器件文档内容

                                                                                                                              Si2343DS

                                                                                                                          Vishay Siliconix

                                  P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY                                                        FEATURES
                                                                       � Halogen-free According to IEC 61249-2-21
VDS (V)               RDS(on) ()                  ID (A)
                                                  - 4.0                    Available
- 30       0.053 at VGS = - 10 V                  - 3.1                � TrenchFET� Power MOSFET

           0.086 at VGS = - 4.5 V                                      APPLICATIONS
                                                                       � Load Switch
                                                                       � PA Switch

                                                           TO-236
                                                          (SOT-23)

                                                  G1                       3D
                                                  S2

                                                                           Top View
                                                                      Si2343DS (F3)*
                                                                       * Marking Code

                                  Ordering Information: Si2343DS-T1
                                                                 Si2343DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
                                                                 Si2343DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 �C, unless otherwise noted

Parameter                                                                  Symbol    5s                             Steady State   Unit
                                                                                                                                    V
Drain-Source Voltage                                                       VDS                                      - 30
                                                                                                                                    A
Gate-Source Voltage                                                        VGS                                      � 20
                                                                                                                                    W
Continuous Drain Current (TJ = 150 �C)a, b               TA = 25 �C        ID        - 4.0                                - 3.1     �C
                                                         TA = 70 �C                  - 3.2                                - 2.5

Pulsed Drain Current                                                       IDM                                      - 15

Continuous Source Current (Diode Conduction)a, b                           IS        - 1.0                                - 0.6

Maximum Power Dissipationa, b                            TA = 25 �C        PD        1.25                                 0.75
                                                         TA = 70 �C
                                                                                     0.8                                  0.48

Operating Junction and Storage Temperature Range                           TJ, Tstg         - 55 to 150

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter                                                    t5s           Symbol    Typical                              Maximum  Unit
Maximum Junction-to-Ambienta                             Steady State        RthJA      75                                    100  �C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)                         Steady State        RthJF     120                                    166
                                                                                        40                                     50

Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply                                                          www.vishay.com
                                                                                                                                                       1
Document Number: 72079
S09-0133-Rev. B, 02-Feb-09
Si2343DS

Vishay Siliconix

SPECIFICATIONS TJ = 25 �C, unless otherwise noted

                                                                                      Limits

Parameter                        Symbol    Test Conditions                      Min.  Typ.    Max.   Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage   V(BR)DSS         VGS = 0 V, ID = - 250 �A      - 30                 V
Gate-Threshold Voltage            VGS(th)        VDS = VGS, ID = - 250 �A
Gate-Body Leakage                                 VDS = 0 V, VGS = � 20 V       -1            -3
                                    IGSS          VDS = - 24 V, VGS = 0 V
Zero Gate Voltage Drain Current            VDS = - 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 �C                � 100  nA
                                    IDSS         VDS  - 5 V, VGS = - 10 V
On-State Drain Currenta                                                                       -1
                                   ID(on)                                                                     �A

                                                                                              - 10

                                                                                - 15                 A

Drain-Source On-Resistancea      RDS(on)   VGS = - 10 V, ID = - 4.0 A                 0.043 0.053
                                           VGS = - 4.5 V, ID = - 3.1 A                                                
Forward Transconductancea           gfs     VDS = - 5 V, ID = - 4.0 A
Diode Forward Voltage              VSD                                                0.068 0.086
Dynamicb                                     IS = - 1.0 A, VGS = 0 V
                                                                                      10             S

                                                                                      - 0.7   - 1.2  V

Total Gate Charge                 Qg            VDS = - 15 V, VGS = - 10 V            14      21
Gate-Source Charge               Qgs                      ID  - 4.0 A
Gate-Drain Charge                Qgd                                                  1.9            nC
Input Capacitance                Ciss      VDS = - 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
Output Capacitance               Coss                                                 3.7
Reverse Transfer Capacitance     Crss
Switchingc                                                                            540

                                                                                      131            pF

                                                                                      105

Turn-On Time                     td(on)                                               10      15
Turn-Off Time                      tr
                                            VDD = - 15 V, RL = 15                     15      25     ns
                                 td(off)   ID  - 1.0 A, VGEN = - 10 V
                                   tf                                                 31      50
                                                      RG = 6

                                                                                      20      30

Notes:
a. Pulse test: PW  300 �s, duty cycle  2 %.
b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.
c. Switching time is essentially independent of operating temperature.

Stresses beyond those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.

www.vishay.com                                                                           Document Number: 72079
2                                                                                     S09-0133-Rev. B, 02-Feb-09
                                                                                                                                                              Si2343DS

                                                                                                                                                          Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 �C, unless otherwise noted

           15                                                                                                               15
VGS = 10 thru 5 V                                                                4V

           12                                                                                                               12

I D - Drain Current (A)            9                                                     I D - Drain Current (A)   9

                                   6                                                                               6

                                   3                                             3V                                                                      TC = 125 �C
                                                                                                                   3

                                                                                                                                                    25 �C             - 55 �C

                                   0                                                                               0
                                                                                                                    0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
                                         0  1           2   3               4        5

                                            VDS - Drain-to-Source Voltage (V)                                                         VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
                                               Output Characteristics                                                                  Transfer Characteristics

                                   0.12                                                                            1000

                                   0.10                                                                            800

RDS(on) - On-Resistance ()         0.08        VGS = 4.5 V                               C - Capacitance (pF)

                                                                                                                   600                              Ciss

                                   0.06                        VGS = 10 V                                          400
                                   0.04

                                   0.02                                                                                                 Coss
                                                                                                                   200

                                                                                                                               Crss

                                   0.00                                                                            0

                                         0  3           6   9               12       15                                         0  5            10        15  20         25    30

                                                         ID - Drain Current (A)                                                       VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
                                            On-Resistance vs. Drain Current                                                                     Capacitance

                                   10                                                                              1.6

V GS - Gate-to-Source Voltage (V)           VDS =15 V                                                                              VGS = 4.0 V

                                   8        ID = 4.0 A                                                             1.4             ID = 4.0 A

                                   6                                                     R DS(on) - On-Resistance  1.2
                                                                                             (Normalized)
                                   4                                                                               1.0

                                   2                                                                               0.8

                                   0                                                                               0.6
                                                                                                                     - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150
                                         0  3           6   9               12       15                                                    TJ - Junction Temperature (�C)
                                                                                                                           On-Resistance vs. Junction Temperature
                                               Qg - Total Gate Charge (nC)
                                                    Gate Charge                                                                                                        www.vishay.com
                                                                                                                                                                                            3
Document Number: 72079
S09-0133-Rev. B, 02-Feb-09
Si2343DS

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 �C, unless otherwise noted

                          20                                                                                                                                     0.12

I S - Source Current (A)                                                                                                                  0.10RDS(on) - On-Resistance ()                     ID = 4.0 A
                          10
                                                                                                                                                                              ID = 1 A
                                                                                                                                          0.08

                                                                                                                                 0.06
                                          TJ = 150 �C

                                                                                                                                 0.04
                                                                      TJ = 25 �C

                                                                                                                                 0.02

                          1                                                                                                                                      0.00
                            0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
                                                                                                                                                                       0   2              4            6   8                       10
                                            VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
                                   Source-Drain Diode Forward Voltage                                                                                                                 VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
                                                                                                                                                                           On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

                            0.6           ID = 250 �A                                                                                                            12
                            0.4                                                                                                                                  10
VGS(th) Variance (V)        0.2                                                                            Power (W)
                            0.0                                                                                                                                   8
                          - 0.2
                                                                                                                                                                  6

                                                                                                                                                                  4
                                                                                                                                                                                                                       TA = 25 �C

                                                                                                                                                                  2

                          - 0.4           0 25 50 75 100 125 150                                                                                                     0     0.1            1            10  100 600
                               - 50 - 25                                                                                                                             0.01
                                             TJ - Temperature (�C)
                                            Threshold Voltage                                                                                                                                Time (s)

                                                                                                                                                                                       Single Pulse Power

                                                                                100

                                                                                                                                     IDM Limited

                                                                                      Limited by RDS(on)*
                                                                                10

                                                       I D - Drain Current (A)                                                                                             P(t) = 0.0001

                                                                                1                                                                                          P(t) = 0.001
                                                                                          ID(on)                                                                           P(t) = 0.01
                                                                                         Limited

                                                                                0.1    TA = 25 �C                                                                          P(t) = 0.1
                                                                                      Single Pulse
                                                                                                                                                                           P(t) = 1
                                                                                                           BVDSS Limited                                                   P(t) = 10
                                                                                                                                                                           DC

                                                                                0.01

                                                                                0.1               1                                                              10        100

                                                                                      VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

                                                                                      * VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified

                                                                                                  Safe Operating Area

www.vishay.com                                                                                                                                                                                  Document Number: 72079
4                                                                                                                                                                                            S09-0133-Rev. B, 02-Feb-09
                                                                                                                                Si2343DS

                                                                                                                            Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 �C, unless otherwise noted

                                2

                                1
                                          Duty Cycle = 0.5

Normalized Effective Transient              0.2                                                      Notes:
   Thermal Impedance                       0.1
                                 0.1                                                                 PDM
                                         0.05
                                          0.02                                                               t1

                                0.01                                                                                    t2  t1
                                     10-4                                                            1. Duty Cycle, D =     t2

                                                                                                     2. Per Unit Base = R thJA = 120 �C/W

                                                                                                     3. T JM - TA = PDMZthJA(t)

                                                 Single Pulse                                        4. Surface Mounted

                                                 10-3          10-2  10-1  1                         10                     100            600

                                                                     Square Wave Pulse Duration (s)

                                                               Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?72079.

Document Number: 72079                                                                                                           www.vishay.com
S09-0133-Rev. B, 02-Feb-09                                                                                                                           5
                                                                                         Package Information

                                                                                                      Vishay Siliconix

SOT-23 (TO-236): 3-LEAD

                                                    b

                        3

                                                              E1 E

              1                                        2

           S                   e
                        e1

                         D

                                                                    0.10 mm C         C

A      A2                                                               0.004"                          q    0.25 mm

                                                                    Seating Plane                 L           Gauge Plane
                                                              C                                  L1          Seating Plane

   A1

          Dim                                                 MILLIMETERS                        INCHES

                A                                      Min                      Max       Min    0.0374 Ref  Max
               A1                                                                                0.0748 Ref
               A2                                      0.89                     1.12     0.035    0.025 Ref  0.044
                b                                                                        0.0004   0.020 Ref  0.004
                c                                      0.01                     0.10     0.0346              0.040
                D                                                                        0.014               0.020
                E                                      0.88                     1.02     0.003               0.007
               E1                                                                        0.110               0.120
                e                                      0.35                     0.50     0.083               0.104
               e1                                                                        0.047               0.055
                L                                      0.085                    0.18
               L1                                                                        0.016               0.024
                S                                      2.80                     3.04
                q                                                                           3�                 8�
ECN: S-03946-Rev. K, 09-Jul-01                         2.10                     2.64
DWG: 5479
                                                       1.20                     1.40

                                                              0.95 BSC

                                                              1.90 BSC

                                                       0.40                     0.60

                                                              0.64 Ref

                                                              0.50 Ref

                                                       3�                       8�

Document Number: 71196                                                                                       www.vishay.com
09-Jul-01                                                                                                                        1
                                                                          AN807

                                                                        Vishay Siliconix

Mounting LITTLE FOOTR SOT-23 Power MOSFETs

Wharton McDaniel

Surface-mounted LITTLE FOOT power MOSFETs use integrated                ambient air. This pattern uses all the available area underneath the
circuit and small-signal packages which have been been modified         body for this purpose.
to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
Leadframe materials and design, molding compounds, and die                                                           0.114
attach materials have been changed, while the footprint of the                                                         2.9
packages remains the same.

See Application Note 826, Recommended Minimum Pad                                             0.081
Patterns With Outline Drawing Access for Vishay Siliconix                                     2.05
MOSFETs, (http://www.vishay.com/doc?72286), for the basis
of the pad design for a LITTLE FOOT SOT-23 power MOSFET                                              0.150
footprint . In converting this footprint to the pad set for a power                                   3.8
device, designers must make two connections: an electrical
connection and a thermal connection, to draw heat away from the         0.059
package.                                                                 1.5

The electrical connections for the SOT-23 are very simple. Pin 1 is            0.0394  0.037
the gate, pin 2 is the source, and pin 3 is the drain. As in the other           1.0   0.95
LITTLE FOOT packages, the drain pin serves the additional
function of providing the thermal connection from the package to        FIGURE 1. Footprint With Copper Spreading
the PC board. The total cross section of a copper trace connected
to the drain may be adequate to carry the current required for the      Since surface-mounted packages are small, and reflow soldering
application, but it may be inadequate thermally. Also, heat spreads     is the most common way in which these are affixed to the PC
in a circular fashion from the heat source. In this case the drain pin  board, "thermal" connections from the planar copper to the pads
is the heat source when looking at heat spread on the PC board.         have not been used. Even if additional planar copper area is used,
                                                                        there should be no problems in the soldering process. The actual
                                                                        solder connections are defined by the solder mask openings. By
                                                                        combining the basic footprint with the copper plane on the drain
                                                                        pins, the solder mask generation occurs automatically.

Figure 1 shows the footprint with copper spreading for the SOT-23       A final item to keep in mind is the width of the power traces. The
package. This pattern shows the starting point for utilizing the        absolute minimum power trace width must be determined by the
board area available for the heat spreading copper. To create this      amount of current it has to carry. For thermal reasons, this
pattern, a plane of copper overlies the drain pin and provides          minimum width should be at least 0.020 inches. The use of wide
planar copper to draw heat from the drain lead and start the            traces connected to the drain plane provides a low-impedance
process of spreading the heat so it can be dissipated into the          path for heat to move away from the device.

Document Number: 70739                                                                                             www.vishay.com
26-Nov-03                                                                                                                           1
                                                                            Application Note 826

                                                                                         Vishay Siliconix

RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SOT-23

                                                0.037    0.022
                                               (0.950)  (0.559)

                                 0.106                                      0.049
                                      (2.692)                                    (1.245)

                                                                            0.029
                                                                                 (0.724)

                                                                 0.053
                                                                (1.341)

                                                                 0.097
                                                                (2.459)

                                               Recommended Minimum Pads
                                                 Dimensions in Inches/(mm)

Return to Index Return to Index

                                                                                                                APPLICATION NOTE

Document Number: 72609                                                                    www.vishay.com
Revision: 21-Jan-08                                                                                         25
www.vishay.com                   Legal Disclaimer Notice

                                                               Vishay

                     Disclaimer

ALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE
RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE.

Vishay Intertechnology, Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively,
"Vishay"), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other
disclosure relating to any product.

Vishay makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or
the continuing production of any product. To the maximum extent permitted by applicable law, Vishay disclaims (i) any and all
liability arising out of the application or use of any product, (ii) any and all liability, including without limitation special,
consequential or incidental damages, and (iii) any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular
purpose, non-infringement and merchantability.

Statements regarding the suitability of products for certain types of applications are based on Vishay's knowledge of typical
requirements that are often placed on Vishay products in generic applications. Such statements are not binding statements
about the suitability of products for a particular application. It is the customer's responsibility to validate that a particular
product with the properties described in the product specification is suitable for use in a particular application. Parameters
provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time. All
operating parameters, including typical parameters, must be validated for each customer application by the customer's
technical experts. Product specifications do not expand or otherwise modify Vishay's terms and conditions of purchase,
including but not limited to the warranty expressed therein.

Except as expressly indicated in writing, Vishay products are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining
applications or for any other application in which the failure of the Vishay product could result in personal injury or death.
Customers using or selling Vishay products not expressly indicated for use in such applications do so at their own risk. Please
contact authorized Vishay personnel to obtain written terms and conditions regarding products designed for such applications.

No license, express or implied, by estoppel or otherwise, to any intellectual property rights is granted by this document or by
any conduct of Vishay. Product names and markings noted herein may be trademarks of their respective owners.

                              Material Category Policy

Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as RoHS-Compliant fulfill the
definitions and restrictions defined under Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment
(EEE) - recast, unless otherwise specified as non-compliant.

Please note that some Vishay documentation may still make reference to RoHS Directive 2002/95/EC. We confirm that
all the products identified as being compliant to Directive 2002/95/EC conform to Directive 2011/65/EU.

Vishay Intertechnology, Inc. hereby certifies that all its products that are identified as Halogen-Free follow Halogen-Free
requirements as per JEDEC JS709A standards. Please note that some Vishay documentation may still make reference
to the IEC 61249-2-21 definition. We confirm that all the products identified as being compliant to IEC 61249-2-21
conform to JEDEC JS709A standards.

Revision: 02-Oct-12  1           Document Number: 91000
This datasheet has been downloaded from:
            datasheet.nvwayi.com

                 Free Download
           Daily Updated Database
      100% Free Datasheet Search Site
  100% Free IC Replacement Search Site
     Convenient Electronic Dictionary

               Fast Search System
             www.nvwayi.com

                                                 All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
                                                                Copyright � Each Manufacturing Company
小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 nvwayi.com, Inc. All rights reserved

百家乐送彩金 首次充值送彩金 微信群算账机器人 下载就送彩金的平台 充话费送彩金 天音彩票注册 送彩金棋牌10可提现 送彩金的娱乐游戏平台 永利高网上开户送彩金 白菜送彩金59网站大全